Помощь сайту | Donate
Поиск по сайту
Вход на сайт
Меню
Форум NoWa.cc На главную • Программы • Релизы • Наборы AIO • ОС • Мобила • Игры • Видео • Музыка • Книги • Аудиокниги • Оформление • Photoshop • Юмор • Новости • Железо • Разное Последние комментарии
Trashman
13:00 | 17:19 | Mausberg 08:21 | iLet 22:16 | Zolushok 21:25 | Trashman 00:11 | MerolaC 19:04 | leteha 18:35 | leteha 17:49 | MerolaC 17:31 | igormath 22:28 | leteha 20:20 | Trashman 20:20 | Trashman 20:19 | Trashman 12:01 | gedevan 22:00 | Pepa112 03:19 | IKUSAGAMI 00:23 | marlon 15:42 | Pepa112 21:37 | Trashman Заказ рeклaмы
Купите у нас рекламу ! Your advertising could be here ! E-mail для связи: Партнёры
Для вас работают
brodyga (админ) marlon leteha Ledworld Mansory1 Masarat manivell17 Sanchezzz sibius777 Sergv |
Флэш-память уменьшили до предела
Новость от: brodyga
Просмотров: 3148
Тем не менее, выход нашелся. Исследователи в Infineon отошли от традиционной плоской схемы и создали трехмерную структуру для ячейки памяти, с ребром, разделяющим границы ячейки. Такая геометрия минимизирует нежелательные эффекты и улучшает возможности контроля за зарядом, сохраняющемся в ячейке. Новое устройство получило название FinFET (Fin Field Effect Transistor). В ячейке памяти информация сохраняется зарядами электронов, которые находятся в нитридном слое между кремниевым ребром и электродом затвора (управляющим электродом). Размеры кремниевого ребра — 8 нм, затвора — 20 нм. Ученые утверждают, что FinFET-транзисторы будут исключительно надежным элементом хранения информации. В нынешних микросхемах для хранения одного бита нужно около 1000 электронов. В новом FinFET-транзисторе достаточно будет 100 электронов — чуть меньше электронов содержит 1 атом золота.
Раздел: Железо | 15.01.05 | 02:02
|
Design by DolpHin | Disclaimer Реклама | E-mail для связи: | Skype: diim_diim | ICQ: 400632 |